IRFI4020H-117P, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 200 В, 9.1 А

Фото 1/3 IRFI4020H-117P, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 200 В, 9.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 руб.
от 5 шт.520 руб.
от 10 шт.479 руб.
от 20 шт.451 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.
Номенклатурный номер: 8001514121
Артикул: IRFI4020H-117P

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 200 В, 9.1 А

Технические параметры

Корпус TO-220-5 Full-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 9.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel(Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1240pF @ 25V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case TO-220-5 Full Pack
Packaging Tube
Part Status Active
Power - Max 21W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.5A, 10V
Series -
Supplier Device Package TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 4.9V @ 100ВµA
Вес, г 3.9

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов