IRFI4020H-117P, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 200 В, 9.1 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 руб.
от 5 шт. —
520 руб.
от 10 шт. —
479 руб.
от 20 шт. —
451 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 620 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 200 В, 9.1 А
Технические параметры
Корпус | TO-220-5 Full-Pak | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9.1A | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V | |
FET Feature | Standard | |
FET Type | 2 N-Channel(Dual) | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1240pF @ 25V | |
Manufacturer | Infineon Technologies | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) | |
Package / Case | TO-220-5 Full Pack | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Power - Max | 21W | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 5.5A, 10V | |
Series | - | |
Supplier Device Package | TO-220-5 Full-Pak | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 100ВµA | |
Вес, г | 3.9 |
Техническая документация
Datasheet IRFI4020H-117PXKMA1
pdf, 200 КБ
IRFI4020H-117P datasheet
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов