IRFP054NPBF, Транзистор, N-канал 55В 81А [TO-247AC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
от 15 шт. —
253 руб.
1 шт.
на сумму 290 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 81 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.012 Ом/43А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 | |
Крутизна характеристики, S | 30 | |
Корпус | TO-247AC | |
Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1494 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Документация
pdf, 1500 КБ
Datasheet IRFP054N
pdf, 114 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов