IRFP3703PBF, Транзистор MOSFET N-канал 30В 210А [TO-247АC]
![Фото 1/5 IRFP3703PBF, Транзистор MOSFET N-канал 30В 210А [TO-247АC]](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC001210305.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
570 руб.
от 15 шт. —
495 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 210 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0028 Ом/76А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
| Крутизна характеристики, S | 150 | |
| Корпус | Super-247 | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 213 КБ
Datasheet IRFP3703PBF
pdf, 221 КБ
Datasheet IRFP3703
pdf, 239 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
