IRFR15N20D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
460 руб.
от 2 шт. —
360 руб.
от 5 шт. —
292 руб.
от 10 шт. —
265.86 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 200V, 17A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V;
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 165@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 200 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 27@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 910@25V |
| Вес, г | 0.63 |
Техническая документация
Datasheet IRFR15N20DTRPBF
pdf, 225 КБ
Документация
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
