IRFR3707Z
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
200 руб.
от 10 шт. —
171 руб.
от 100 шт. —
150 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 56A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:56A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0075ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 56(A) |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | DPAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 50(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFR3707ZTRPBF
pdf, 546 КБ
IRFR3707ZPBF Datasheet
pdf, 363 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
