IRFR4105
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
210 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
150 руб.
от 10 шт. —
134 руб.
от 100 шт. —
121.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 55V, 27A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:27A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Brand | Infineon/IR |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2000 |
Fall Time | 40 ns |
Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
Height | 2.3 mm |
Id - Continuous Drain Current | 27 A |
Length | 6.5 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 68 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 34 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 45 mOhms |
Rise Time | 49 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | HEXFET Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Width | 6.22 mm |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
IRFR4105PBF
pdf, 238 КБ
Документация
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов