IRFR430APBF, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 5 шт. —
116 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 3,2А, 110Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 2000 |
| Fall Time | 16 ns |
| Height | 2.39 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A |
| Length | 6.73 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252AA-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.7 Ohms |
| Rise Time | 27 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.7 ns |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
