IRFR4510PBF, Nкан 100В 63А D-Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
от 5 шт. —
41 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 57 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0111ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 63 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0139 Ом/38А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 143 | |
| Крутизна характеристики, S | 62 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 1.11 |
Техническая документация
Datasheet IRFR4510TRPBF
pdf, 306 КБ
irfr4510pbf
pdf, 301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
