IRFR7546
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
420 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 420 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 56A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0066ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V;
Технические параметры
| RoHS Compliant | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 71 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7.9 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 99 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 20 V |
| Width | 2.39mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IRFU7546PBF
pdf, 581 КБ
irfr7546pbf
pdf, 580 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
