Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFR9120NTRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.48 Ом, -10 В, -4 В

Ном. номер: 8187542320
PartNumber: IRFR9120NTRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFR9120NTRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.48 Ом, -10 В, -4 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFR9120NTRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.48 Ом, -10 В, -4 ВФото 3/3 IRFR9120NTRPBF, МОП-транзистор, P Канал, -6.6 А, -100 В, 0.48 Ом, -10 В, -4 В
120 руб.
534 шт.,
срок 5-6 недель
от 10 шт. — 94 руб.
от 100 шт. — 52 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
24 руб. 7533 шт. 1 шт. 185 шт.
от 194 шт. — 21 руб.
от 402 шт. — 20.10 руб.
от 844 шт. — 19.20 руб.
200 руб. 3-4 недели, 1276 шт. 1 шт. 1 шт.
от 3 шт. — 87 руб.
от 10 шт. — 63 руб.
от 13 шт. — 50.77 руб.
74 руб. 8 дней, 180 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 44 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

The IRFR9120NTRPBF is a HEXFET® fifth generation single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6,6 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
28 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
480 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
27 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
350 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Вес, г
0.585

Дополнительная информация

Datasheet IRFR9120NTRPBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.