Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFR9120NTRPBF, транзистор (IRFR9110 ...

IRFR9120NTRPBF, транзистор (IRFR9110,IRFR9120)Р канал -100В -6.5А DPak

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

67 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 67 руб.

Номенклатурный номер: 8021368839

Артикул: IRFR9120NTRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

транзисторы полевые импортные

Описание Полевой транзистор IRFR9120NTRPBF от известного производителя INFINEON - это надежный компонент для современных электронных устройств. Устройство выполнено в удобном для монтажа SMD корпусе типа DPAK, что позволяет использовать его в плотно упакованных печатных платах. Транзистор отличается током стока 6,5 А и напряжением сток-исток 100 В, что обеспечивает его применение в высоковольтных схемах. При этом мощность устройства составляет 39 Вт, что гарантирует его эффективную работу даже в условиях интенсивных нагрузок. Модель IRFR9120NTRPBF, благодаря типу N-MOSFET, предоставляет превосходные характеристики по скорости переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	6.5
Напряжение сток-исток, В	100
Мощность, Вт	39
Корпус	DPAK

Технические параметры

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Maximum Continuous Drain Current	6.6 A
Maximum Drain Source Resistance	480 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	HEXFET
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	27 nC @ 10 V
Width	6.22mm
Вес, г	0.539