Мой регион: Россия

IRFR9120NTRPBF

Ном. номер: 8187542320
PartNumber: IRFR9120NTRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IRFR9120NTRPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/3 IRFR9120NTRPBFФото 3/3 IRFR9120NTRPBF
84 руб.
1257 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 68 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
62 руб. 2-3 недели, 220 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 37 руб.
19.10 руб. 3-4 недели, 8000 шт. 2000 шт. 2000 шт.
от 4000 шт. — 18.90 руб.
от 8000 шт. — 18.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
MOSFETs
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
6,6 A
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
40 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
14 ns
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
28 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Максимальное сопротивление сток-исток
480 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
27 nC @ 10 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
350 pF @ -25 V
Тип канала
A, P
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.