IRFS4115
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
760 руб.
от 2 шт. —
650 руб.
от 5 шт. —
574 руб.
от 10 шт. —
536.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 150V, 195A, TO-263AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:195A, Drain Source Voltage Vds:150V, On Resistance Rds(on):0.0103ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:5V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantitytbvzzqetvyevzcvwdsyyersdrcax | 800 |
| Fall Time | 39 ns |
| Forward Transconductance - Min | 97 S |
| Height | 2.3 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 99 A |
| Length | 6.5 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | SP001578272 |
| Pd - Power Dissipation | 375 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 120 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.1 mOhms |
| Rise Time | 73 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Width | 6.22 mm |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
IRFS4115PBF Datasheet
pdf, 386 КБ
Документация
pdf, 292 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
