IRFS7430TRL7PP, N-Channel MOSFET, 522 A, 40 V, 6-Pin D2PAK IRFS7430TRL7PP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
Кратность заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 400 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 522 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 750 μΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 6 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 305 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
