IRFS7734TRLPBF, Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
340 руб.
Кратность заказа 800 шт.
Добавить в корзину 800 шт.
на сумму 272 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 130А, 290Вт, D2PAK
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0028Ом |
| Power Dissipation | 290Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
| Непрерывный Ток Стока | 183А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 290Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0028Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
| Fall Time: | 100 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 250 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 183 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 290 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 270 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Rise Time: | 123 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | StrongIRFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 124 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 662 КБ
irfs7734pbf
pdf, 650 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
