IRFS7734TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Channel, 75 В, 183 А, 0.0028 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
550 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
367 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 75В, 130А, 290Вт, D2PAK
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0028Ом |
Power Dissipation | 290Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
Непрерывный Ток Стока | 183А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.7В |
Рассеиваемая Мощность | 290Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0028Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |
Fall Time: | 100 ns |
Forward Transconductance - Min: | 250 S |
Id - Continuous Drain Current: | 183 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-252-3 |
Pd - Power Dissipation: | 290 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 270 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
Rise Time: | 123 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | StrongIRFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 124 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 662 КБ
irfs7734pbf
pdf, 650 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов