IRFU120NPBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 9.4А [IPАK]
![Фото 1/6 IRFU120NPBF, Транзистор MOSFET N-канал 100В 9.4А [IPАK]](https://static.chipdip.ru/lib/313/DOC005313997.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90 руб.
от 15 шт. —
77 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 90 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.4 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.21 Ом/5.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
| Корпус | IPАK | |
| Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 259 КБ
Datasheet IRFU120NPBF
pdf, 139 КБ
Datasheet IRFU120NPBF
pdf, 396 КБ
Datasheet irfr120npbf
pdf, 390 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
