IRFU4510
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
600 руб.
от 2 шт. —
490 руб.
от 5 шт. —
410 руб.
от 8 шт. —
385.56 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRFU4510PBF от известного производителя INFINEON представляет собой высокомощный элемент в корпусе IPAK для монтажа THT. Этот N-MOSFET транзистор способен выдерживать ток стока до 63 А и напряжение сток-исток до 100 В, обеспечивая при этом мощность в 143 Вт. Идеален для использования в силовой электронике, блоках питания и различных промышленных применениях, где требуется надежность и эффективность. Продукт IRFU4510PBF гарантирует высокие показатели производительности и долговечность, что делает его отличным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 63 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 143 |
| Корпус | IPAK |
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Family | FETs-Single |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 81nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3031pF @ 50V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Package / Case | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Packaging | Tube |
| PCN Assembly/Origin | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013Additional Wafer Source 11/Nov/2014 |
| Power - Max | 143W |
| Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9 mOhm @ 38A, 10V |
| Series | HEXFET® |
| Standard Package | 75 |
| Supplier Device Package | I-Pak |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Id - непрерывный ток утечки | 63 A |
| Pd - рассеивание мощности | 143 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 13.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 6.22 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Другие названия товара № | SP001557766 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Ширина | 2.38 mm |
| Вес, г | 0.72 |
Техническая документация
irfr4510pbf
pdf, 301 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
