IRFU7440PBF, Транзистор полевой N-канальный 40В 90А 140Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 12 шт. —
120 руб.
от 24 шт. —
108 руб.
от 48 шт. —
104 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 520 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 40В 90А 140Вт
Технические параметры
Корпус | TO-251AA | |
Brand | Infineon Technologies | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 34 ns | |
Forward Transconductance - Min | 280 S | |
Id - Continuous Drain Current | 180 A | |
Manufacturer | Infineon | |
Maximum Operating Temperature | +175 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | Through Hole | |
Number Of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | TO-251-3 | |
Packaging | Tube | |
Part # Aliases | SP001565158 | |
Pd - Power Dissipation | 140 W | |
Product Category | MOSFET | |
Product Type | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 134 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4 mOhms | |
Rise Time | 39 ns | |
Subcategory | MOSFETs | |
Technology | Si | |
Tradename | StrongIRFET | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel | |
Typical Turn-Off Delay Time | 51 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V | |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.9 V | |
Вес, г | 0.658 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 311 КБ
irfu7440pbf
pdf, 293 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов