IRFU9120PBF, Транзистор MOSFET P-канал 100В 5.6А [IPAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
от 15 шт. —
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
The IRFU9120PBF is a third generation P-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The straight lead version is for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
• Dynamic dV/dt rating
• Straight lead
• Repetitive avalanche rated
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 Ом/3.4А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 47 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-251AA | |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт | |
Полярность Транзистора | P Канал | |
Напряжение Истока-стока Vds | -100В | |
Непрерывный Ток Стока | 5.6А | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.6Ом | |
Напряжение Измерения Rds(on) | -10В | |
Пороговое Напряжение Vgs | -4В | |
Вес, г | 0.45 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1176 КБ
Datasheet
pdf, 1098 КБ
Datasheet IRFR9120, IRFU9120, SiHFR9120, SiHFU9120
pdf, 1066 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают