IRFZ46NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 53 А, 0.0165 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
360 руб.
от 100 шт. —
273 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 870 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 55V 53A 16.5mOhm 48nC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 53 A |
| Pd - рассеивание мощности | 120 W |
| Qg - заряд затвора | 48 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 53 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 16.5@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 2 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 57 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 72(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 72(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1696@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 76 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 52 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
