IRFZ46NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 53 А, 0.0165 Ом, TO-263AB, Surface Mount

Фото 2/2 IRFZ46NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 53 А, 0.0165 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Фото 1/2 IRFZ46NSTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 55 В, 53 А, 0.0165 Ом, TO-263AB, Surface Mount
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
403 шт., срок 5-6 недель
360 руб.
от 10 шт.267 руб.
от 100 шт.219 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8786512727
Артикул: IRFZ46NSTRLPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-канальный силовой МОП-транзистор, 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых МОП-транзисторов с HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и теплового дизайна вызов. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 175 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора TO-263AB
Рассеиваемая Мощность 107Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 55В
Непрерывный Ток Стока 53А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0165Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Линейка Продукции HEXFET Series
Transistor Mounting Surface Mount
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Continuous Drain Current 53 A
Package Type D2PAK (TO-263)
Maximum Power Dissipation 107 W
Mounting Type Surface Mount
Width 4.69mm
Forward Transconductance 19s
Height 10.48mm
Dimensions 10.54 x 4.69 x 10.48mm
Transistor Material Si
Number of Elements per Chip 1
Length 10.54mm
Transistor Configuration Single
Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Brand Infineon
Typical Turn-Off Delay Time 52 ns
Series HEXFET
Minimum Operating Temperature -55 °C
Maximum Drain Source Resistance 10 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Pin Count 3
Category Power MOSFET
Typical Gate Charge @ Vgs 72 nC @ 10 V
Channel Mode Enhancement
Typical Input Capacitance @ Vds 1696 pF @ 25 V
Channel Type N
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Forward Diode Voltage 1.3V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 682 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах