IRL2910STRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 55A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
240 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
200 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 55A
Технические параметры
| Корпус | D2Pak(TO-263) | |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C | |
| Максимальный непрерывный ток стока | 55 А | |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) | |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 W | |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
| Ширина | 9.65мм | |
| Высота | 4.83мм | |
| Размеры | 10.67 x 9.65 x 4.83мм | |
| Материал транзистора | Кремний | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Длина | 10.67мм | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Типичное время задержки включения | 11 ns | |
| Производитель | Infineon | |
| Типичное время задержки выключения | 49 нс | |
| Серия | HEXFET | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 40 мΩ | |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В | |
| Число контактов | 3 | |
| Категория | Мощный МОП-транзистор | |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 140 нКл при 5 В | |
| Номер канала | Поднятие | |
| Типичная входная емкость при Vds | 3700 пФ при 25 В | |
| Тип канала | N | |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 V, +16 V | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 55 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 200 W | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | D2PAK(TO-263) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 140 nC @ 5 V | |
| Width | 9.65mm | |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
