IRL530NS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
от 5 шт. —
284 руб.
от 10 шт. —
258.30 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 100V, 17A, TO-263, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:17A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):0.1ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W(Ta), 79W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRL530NSTRRPBF
pdf, 466 КБ
IRL530NSPBF Datasheet
pdf, 460 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
