IRL530PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 15 шт. —
160 руб.
от 29 шт. —
144 руб.
от 50 шт. —
138 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 15A
Технические параметры
Корпус | TO-220AB | |
EU RoHS | Compliant | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.29.00.95 | |
Product Category | Power MOSFET | |
Configuration | Single | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 15 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 160@5V | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 28(Max)@5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 930@25V | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 88000 | |
Typical Fall Time (ns) | 48 | |
Typical Rise Time (ns) | 100 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 22 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.7 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Automotive | No | |
Pin Count | 3 | |
Supplier Package | TO-220AB | |
Standard Package Name | TO-220 | |
Military | No | |
Mounting | Through Hole | |
Package Height | 9.01(Max) | |
Package Length | 10.41(Max) | |
Package Width | 4.7(Max) | |
PCB changed | 3 | |
Tab | Tab | |
Lead Shape | Through Hole | |
Id - непрерывный ток утечки | 15 A | |
Pd - рассеивание мощности | 88 W | |
Qg - заряд затвора | 28 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Время нарастания | 100 ns | |
Время спада | 48 ns | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.4 S | |
Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 50 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Типичное время задержки выключения | 22 ns | |
Типичное время задержки при включении | 4.7 ns | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Base Product Number | IRL530 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 15A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 930pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 9A, 5V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA | |
Maximum Continuous Drain Current | 15 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V | |
Maximum Operating Temperature | +175 °C | |
Maximum Power Dissipation | 88 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Package Type | TO-220AB | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 28 nC @ 5 V | |
Width | 4.7mm | |
Вес, г | 1.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 986 КБ
Datasheet IRL530PBF
pdf, 814 КБ
Datasheet IRL530PBF
pdf, 1142 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов