IRLB8314PBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220]
![Фото 1/3 IRLB8314PBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 184A [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 15 шт. —
135 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 130 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 2.4 Ом/68А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLB8314
pdf, 481 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
