IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]

Артикул: IRLHM620TRPBF
Ном. номер: 9000104755
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]
Фото 2/4 IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]Фото 3/4 IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]Фото 4/4 IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
57 руб. × = 57 руб.
от 50 шт. — 55 руб.
от 450 шт. — 35.63 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET 20A to 29A, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon (IR) Unitronic® LiYY Cable
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
0.5…1.1

Техническая документация

IRFML8244PBF datasheet
pdf, 242 КБ
IRLHM620PBF datasheet
pdf, 239 КБ

Дополнительная информация

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET Datasheet IRLHM620TRPBF
Datasheet IRLHM620TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов