IRLHS2242TRPBF, Транзистор полевой P-канальный 20В 15A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
35 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 311 шт. —
28 руб.
от 621 шт. —
25 руб.
от 1241 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 490 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 20В 15A
Технические параметры
Корпус | PQFN6-(2x2) | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Forward Diode Voltage | 1.2V | |
Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 53 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1.1V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 9.6 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | PQFN 2x2 | |
Pin Count | 6 | |
Series | HEXFET | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 12 nC @ 10 V | |
Width | 2.1mm | |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRLHS2242TRPBF
pdf, 264 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов