IRLL014N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
89 руб.
от 10 шт. —
78 руб.
от 100 шт. —
66.13 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 280 руб.
Описание
Электроэлемент
N CHANNEL MOSFET, 55V, 2A, SOT-223, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:2A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):140mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, No. of Pins:3 , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Dual Drain |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 2.8 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 140@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??16 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2100 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 4 |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-223 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 9.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 9.5@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 230@25V |
| Typical Output Capacitance - (pF) | 66 |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
IRLL014N Datasheet
pdf, 158 КБ
Документация
pdf, 269 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
