IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]

Артикул: IRLL2705PBF
Ном. номер: 41059
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]
Фото 2/4 IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]Фото 3/4 IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]Фото 4/4 IRLL2705PBF, Транзистор, N-канал 55В 3.8А [SOT-223]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
22 руб. × = 22 руб.
от 50 шт. — 21 руб.
от 500 шт. — 20.50 руб.
Цена и наличие в магазинах


The IRLL2705PBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The power MOSFET is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place, it has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1.0W is possible in a typical surface mount application.

• Surface mount
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level gate drive
• Fast switching
• Easy to parallel
• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance

Технические параметры

Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Пороговое напряжение на затворе

Дополнительная информация

Datasheet IRLL2705PBF
IRLL2705PBF Data Sheet IRLL2705PBF