IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]

Артикул: IRLR120NPBF
Ном. номер: 9000042777
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]
Фото 2/4 IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]Фото 3/4 IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]Фото 4/4 IRLR120NPBF, Транзистор, N-канал, 100В, 10А, 0.185Ом [D-PAK]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
25 руб. × = 25 руб.
от 50 шт. — 21 руб.
от 300 шт. — 16.06 руб. (5 рабочих дней)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRLR120NPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation level up to 1.5W is possible in typical surface-mount applications.

• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Logic level

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
185
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…2

Техническая документация

IRLR120NPBF datasheet
pdf, 205 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRLR120NPBF
IRLR120NPbF / IRLU120NPbF, HEXFET Power MOSFET Data sheet(July 2014) IRLR120NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов