Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLR2705TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 28А [D-PAK]

Ном. номер: 9000612824
Артикул: IRLR2705TRPBF
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRLR2705TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 28А [D-PAK]
Фото 2/2 IRLR2705TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 28А [D-PAK]
32 руб.
1968 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 25 руб.
от 150 шт. — 23 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 32 руб.
Есть аналоги
В кредит от 0 руб./мес
N-CH 55V 28A 40mOhm TO252
Корпус TO252, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 28 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока
28 А
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Максимальное рассеяние мощности
68 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.22мм
Высота
2.39мм
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
6.73мм
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
8,9 нс
Производитель
Infineon
Типичное время задержки выключения
21 ns
Серия
HEXFET
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Максимальное сопротивление сток-исток
65 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
25 nC @ 5 V
Номер канала
Поднятие
Типичная входная емкость при Vds
880 пФ при 25 В
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Вес, г
0.4

Техническая документация

IRLR2705PBF datasheet
pdf, 217 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.