Добавить к сравнению Сравнить ()

IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]

Артикул: IRLR3410PBF
Ном. номер: 9000204262
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]
Фото 2/3 IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]Фото 3/3 IRLR3410PBF, Транзистор, N-канал 100В 17А [D-PAK]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
26 × = 26
от 50 шт. — 23 руб.
от 75 шт. — 18.11 руб. (1 рабочий день)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRLR3410PBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The D-PAK is designed for surface mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface mount applications.

• Logic level gate drive
• Ultra low on-resistance
• Surface mount
• Advanced process technology
• Fast switching
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
105
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
1…2

Техническая документация

irlr3410pbf
pdf, 285 КБ

Дополнительная информация

IRLR3410PBF Data Sheet IRLR3410PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов