IRLS640A, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 200 В, 9.8 А, 0.18 Ом, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
332 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.18Ом |
Power Dissipation | 40Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
Непрерывный Ток Стока | 9.8А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.18Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220F |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet IRLS640A
pdf, 706 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов