IRLS640A, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 200 В, 9.8 А, 0.18 Ом, TO-220F, Through Hole

IRLS640A, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 200 В, 9.8 А, 0.18 Ом, TO-220F, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт.420 руб.
от 100 шт.332 руб.
Добавить в корзину 6 шт. на сумму 2 880 руб.
Номенклатурный номер: 8001631212
Артикул: IRLS640A

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.18Ом
Power Dissipation 40Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)
Напряжение Истока-стока Vds 200В
Непрерывный Ток Стока 9.8А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 40Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.18Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-220F
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet IRLS640A
pdf, 706 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов