IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8]
![Фото 1/6 IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/642/DOC001642669.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171134.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/670/DOC013670366.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/821/DOC044821245.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/053/DOC045053340.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561891.jpg)
870 руб.
от 5 шт. —
808 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 870 руб.
Описание
The Infineon high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
Технические параметры
Конфигурация | Half-Bridge | |
Тип канала | независимый | |
Кол-во каналов | 2 | |
Тип управляемого затвора | IGBT, N-CH MOSFET | |
Напряжение питания, В | 10…20 | |
Логическое напряжение (VIL), В | 0.8 | |
Логическое напряжение (VIH), В | 2.5 | |
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 4 | |
Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 4 | |
Тип входа | неинвертирующий | |
Максимальное напряжение смещения, В | 600 | |
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 22 | |
Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 18 | |
Рабочая температура, °C | -40…+150(TJ) | |
Корпус | SOIC-8(0.154 inch) | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
С этим товаром покупают
Похожие товары