ISL9V3036D3S

840 руб.

от 2 шт. — 720 руб.

от 5 шт. — 637 руб.

от 10 шт. — 596.25 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 840 руб.

Номенклатурный номер: 8002984140

Электроэлемент

Insulated Gate Bipolar Transistor, 21A, 350V, N-Channel, TO-252AA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max	360 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	360 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.25 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current Ic Max	21 A
Gate-Emitter Leakage Current	150 W
Manufacturer	Fairchild Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage	10 V
Package / Case	DPAK
Packaging	Tube
Power Dissipation	150 W
Product Category	IGBT Transistors
Вес, г	0.5

Мы рекомендуем