IXFH16N120P, MOSFET, N-CH, 1.2KV, 16A, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60 шт., срок 8-10 недель
5 750 руб.
от 5 шт. —
5 340 руб.
от 10 шт. —
5 110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 750 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.95Ом |
Power Dissipation | 660Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Polar HiPerFET Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
Непрерывный Ток Стока | 16А |
Полярность Транзистора | N Channel |
Пороговое Напряжение Vgs | 6.5В |
Рассеиваемая Мощность | 660Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.95Ом |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Вес, г | 0.91 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.