IXFH180N20X3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 200 В, 180 А, 0.0063 Ом, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 8-10 недель
4 360 руб.
от 5 шт. —
4 090 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 360 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel enhancement mode avalanche rated X3-Class HiPerFET™ power MOSFET. It is suitable for use in DC-DC converters, switch-mode and resonant-mode power supplies, AC and DC motor drives, PFC circuits, robotics and servo controls applications.
• Low RDS(ON) and QG
• Low package inductance
• High power density
• Easy to mount
• Space savings
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0063Ом |
| Power Dissipation | 735Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | X3-Class HiPerFET Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 200В |
| Непрерывный Ток Стока | 180А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 309 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
