IXFH40N85X, Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 40А, 860Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 640 руб.
от 10 шт. —
2 140 руб.
от 30 шт. —
1 920 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, X-Class, полевой, 850В, 40А, 860Вт, TO247-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 860 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 98 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 145 mOhms |
| Rise Time: | 11 ns |
| Series: | IXFx40N85 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | HiPerFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 63 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 27 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 850 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
| Вес, г | 7.82 |
Техническая документация
Datasheet IXFH40N85X
pdf, 272 КБ
IXFH40N85X- IXFT40N85XHV
pdf, 258 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
