IXFK520N075T2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 75 В, 520 А, 0.0022 Ом, TO-264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 шт., срок 8-10 недель
3 950 руб.
от 5 шт. —
3 700 руб.
от 10 шт. —
3 510 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 950 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters and Off-line UPS, primary-side switch, high speed power switching applications.
• TrenchT2™ GigaMOS™ HiperFET™ power MOSFET
• High current handling capability
• Low RDS(on)
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0022Ом |
| Power Dissipation | 1.25кВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PW Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
| Непрерывный Ток Стока | 520А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-264 |
| Brand | IXYS |
| Channel Mode | Enhancement |
| Factory Pack Quantity | 25 |
| Fall Time | 35 ns |
| Forward Transconductance - Min | 65 S |
| Height | 26.59 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 520 A |
| Length | 20.29 mm |
| Manufacturer | IXYS |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 kW |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 545 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.2 mOhms |
| Rise Time | 36 ns |
| RoHS | Details |
| Series | IXFK520N075 |
| Technology | Si |
| Tradename | TrenchT2, GigaMOS, HiperFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 80 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 48 ns |
| Unit Weight | 0.264555 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| Width | 5.31 mm |
Техническая документация
Документация
pdf, 218 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
