IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10А; 35Вт

Фото 2/3 IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10А; 35ВтФото 3/3 IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10А; 35Вт
Фото 1/3 IXFP4N85XM, Транзистор: N-MOSFET; X-Class; полевой; 850В; 3,5А; Idm:10А; 35Вт
1 шт. со склада г.Москва
380 руб.
от 5 шт.290 руб.
от 50 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000719493
Артикул: IXFP4N85XM
Производитель: Ixys Corporation

Описание

МОП-транзистор 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 3.5 A
Pd - рассеивание мощности 150 W
Qg - заряд затвора 7 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 2.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 850 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 27 ns
Время спада 20 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 1.2 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 28 ns
Типичное время задержки при включении 13 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2.183

Техническая документация

Datasheet IXFP4N85XM
pdf, 193 КБ
Datasheet IXFP4N85XM
pdf, 245 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах