IXFQ60N50P3, MOSFET, N-CH, 500V, 60A, TO-3P
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 шт., срок 8-10 недель
2 820 руб.
от 25 шт. —
2 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 820 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.11Ом |
Power Dissipation | 1.04кВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | Polar3 HiPerFET Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
Непрерывный Ток Стока | 60А |
Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-3P |
Вес, г | 7.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.