IXFX120N65X2, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 120 А, 0.024 Ом, PLUS247, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

25 шт., срок 8-10 недель

6 030 руб.

от 5 шт. — 5 600 руб.

от 10 шт. — 5 370 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 030 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8013781037

Артикул: IXFX120N65X2

Бренд: Littelfuse

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

• Low QG
• Low package inductance
• High power density
• Easy to mount
• Space savings

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.024Ом
Power Dissipation	1.25кВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	PW Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	120А
Пороговое Напряжение Vgs	5В
Стиль Корпуса Транзистора	PLUS247
Brand	IXYS
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	30
Fall Time	12 ns
Forward Transconductance - Min	46 S
Id - Continuous Drain Current	120 A
Manufacturer	IXYS
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	1.25 kW
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	225 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	24 mOhms
Rise Time	23 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	86 ns
Typical Turn-On Delay Time	64 ns
Unit Weight	0.056438 oz
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage	30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.7 V