IXTH200N10T, MOSFET, 200A, 100V, 550W, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
28 шт., срок 8-10 недель
2 290 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
2 120 руб.
от 10 шт. —
2 020 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 580 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
N-channel enhancement mode avalanche rated TrenchMV™ power MOSFET suitable for use in Automotive (motor drives, high side switch, 12V battery, ABS systems), DC/DC converters and Off-line UPS, primary - side switch, high current switching applications.
• 175°C operating temperature
• Low RDS(on)
• Easy to mount
• Space savings
• High power density
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0045Ом |
| Power Dissipation | 550Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TrenchMV Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 200А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 200(A) |
| Drain-Source On-Volt | 100(V) |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3+Tab |
| Polarity | N |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
Техническая документация
Datasheet IXTH200N10T
pdf, 173 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
