IXTH62N65X2, МОП-транзистор, класс X2, N Канал, 62 А, 650 В, 0.05 Ом, 10 В, 5 В

Фото 1/2 IXTH62N65X2, МОП-транзистор, класс X2, N Канал, 62 А, 650 В, 0.05 Ом, 10 В, 5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 700 руб.
от 5 шт.2 530 руб.
от 10 шт.2 400 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 700 руб.
Номенклатурный номер: 8792517143
Артикул: IXTH62N65X2
Бренд: Ixys Corporation

Описание

МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 62 A
Pd - рассеивание мощности 780 W
Qg - заряд затвора 100 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 50 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.7 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 11 ns
Время спада 5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение HiPerFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Продукт Power MOSFET Modules
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип X2-Class
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 56 ns
Типичное время задержки при включении 28 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Техническая документация

IXTH62N65X2
pdf, 159 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов