IXTH62N65X2, МОП-транзистор, класс X2, N Канал, 62 А, 650 В, 0.05 Ом, 10 В, 5 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 700 руб.
от 5 шт. —
2 530 руб.
от 10 шт. —
2 400 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 700 руб.
Описание
МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 62 A |
Pd - рассеивание мощности | 780 W |
Qg - заряд затвора | 100 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 50 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.7 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 11 ns |
Время спада | 5 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | HiPerFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | Power MOSFET Modules |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип | X2-Class |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 56 ns |
Типичное время задержки при включении | 28 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
IXTH62N65X2
pdf, 159 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов