IXTK120N25P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 250В, 120А, 700Вт, TO264

Фото 1/5 IXTK120N25P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 250В, 120А, 700Вт, TO264
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
4 390 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 390 руб.
Номенклатурный номер: 8030703028
Артикул: IXTK120N25P
Бренд: Ixys Corporation

Описание

МОП-транзистор 120 Amps 250V 0.024 Rds

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 120 A
Pd - рассеивание мощности 700 W
Qg - заряд затвора 185 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 24 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 250 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 33 ns
Время спада 33 ns
Высота 26.16 mm
Длина 19.96 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PolarHT
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 50 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 25
Серия IXTK120N25
Технология Si
Тип PolarHT Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 130 ns
Типичное время задержки при включении 30 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-264-3
Ширина 5.13 mm
California Prop 65 Warning Information
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8000pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series PolarHTв„ў ->
Supplier Device Package TO-264 (IXTK)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 500ВµA
Вес, г 27.22

Техническая документация

Datasheet
pdf, 163 КБ
Datasheet IXTK120N25P
pdf, 158 КБ
DS99175F(IXTK120N25P)
pdf, 115 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов