KSB1015YTU, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
310 руб.
от 10 шт. —
240 руб.
от 100 шт. —
177 руб.
от 500 шт. —
139.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 310 руб.
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 25 W |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Высота: | 9.19 mm |
| Длина: | 10.16 mm |
| Другие названия товара №: | KSB1015YTU_NL |
| Категория продукта: | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe): | 60 |
| Конфигурация: | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.: | 200 |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора: | 3 A |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO): | - 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | - 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | - 0.5 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO): | - 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток: | - 3 A |
| Подкатегория: | Transistors |
| Полярность транзистора: | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): | 9 MHz |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 1000 |
| Серия: | KSB1015 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок: | TO-220F-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Ширина: | 4.7 mm |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet KSB1015YTU
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
