KSD1616AYTA, KSD1616AYTA NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 руб.
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 54 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 750 mW |
Minimum DC Current Gain | 135, 200 |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов