MD200HFR120C2S, Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 299 А, 1.2 кВ, 0.0067 Ом

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт., срок 8-10 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

140 800 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 140 800 руб.

Номенклатурный номер: 8001728129

Артикул: MD200HFR120C2S

Бренд: STARPOWER

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Channel Type	Dual N Channel
Drain Source On State Resistance	0.0067Ом
Конфигурация МОП-транзистора	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Измерения Rds(on)	18В
Напряжение Истока-стока Vds	1.2кВ
Непрерывный Ток Стока	299А
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	5.6В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0067Ом
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Вес, г	462.7

pdf, 112 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем