MJB41CT4G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q100, NPN, 100 В, 65 Вт, 6 А, 15 hFE, TO-263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
241 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 6 А, 65Вт
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 6A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 700uA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@6A, 600mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 15@3A, 4V |
| Operating Temperature | -65℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2W |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 3MHz |
| Вес, г | 1.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 126 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
