MJE170G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
183 руб.
от 76 шт. —
162.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -40V, -3A, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:12hFE; Transistor Case Style:TO-225; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Category | Bipolar Power |
Collector Current (DC) | 3(A) |
Collector Current (DC) (Max) | 3 A |
Collector-Base Voltage | 60(V) |
Collector-Emitter Voltage | 40(V) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 50 |
DC Current Gain (Min) | 50 |
Emitter-Base Voltage | 7(V) |
Frequency | 50(MHz) |
Frequency (Max) | 50 MHz |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -65C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power | Not Required(W) |
Package Type | TO-225 |
Packaging | Box |
Pin Count | 3+Tab |
Power Dissipation | 1.5(W) |
Rad Hardened | No |
Transistor Polarity | PNP |
Collector Emitter Voltage Max | 40В |
Continuous Collector Current | 3А |
DC Current Gain hFE Min | 12hFE |
DC Усиление Тока hFE | 12hFE |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-225 |
Частота Перехода ft | 50МГц |
Вес, г | 0.6364 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 119 КБ
Документация
pdf, 176 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов