Мой регион: Россия

MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3]

Ном. номер: 13199
Артикул: MJE800G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3]
Фото 2/3 MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3]Фото 3/3 MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3]
26 руб.
85 шт. со склада г.Екатеринбург
от 15 шт. — 20 руб.
от 150 шт. — по запросу
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
69 руб. 3-4 недели, 1030 шт. 5 шт. 25 шт.
от 100 шт. — 40 руб.
49 руб. 4-6 недель, 900 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 32.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

• Complementary device
• Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication

Технические параметры

Структура
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
Корпус
Вес, г
0.9

Техническая документация

MJE800 Datasheet
pdf, 103 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MJE800G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.