Мой регион: Россия

MJF45H11G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 36 Вт, -10 А, 40 hFE

Ном. номер: 8174356410
PartNumber: MJF45H11G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/2 MJF45H11G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 36 Вт, -10 А, 40 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 MJF45H11G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 40 МГц, 36 Вт, -10 А, 40 hFE
170 руб.
244 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 105 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
120 руб. 8 дней, 650 шт. 50 шт. 50 шт.
от 150 шт. — 91 руб.
121 руб. 3-4 недели, 700 шт. 1 шт. 1 шт.
от 100 шт. — 86.80 руб.
160 руб. 2-3 недели, 131 шт. 1 шт. 3 шт.
от 5 шт. — 122 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Линейка Продукции
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
20 MHz
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V dc
Length
10.63mm
Transistor Configuration
Isolated
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220
Maximum Power Dissipation
36 W
Mounting Type
Through Hole
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.9mm
Maximum DC Collector Current
10 (Continuous) A, 20 (Peak) A
Transistor Type
PNP
Height
16.12mm
Pin Count
3
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Dimensions
10.63 x 4.9 x 16.12mm
Transistor Material
Si
Minimum DC Current Gain
40
Вес, г
3.311

Дополнительная информация

Datasheet MJF45H11G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.